通孔中导电层空洞因不同原因引起，表现出不同特征，但有一点是共同的，即孔中导电层的金属覆盖不充分或没有金属覆盖。从理论上讲，该问题由两种情况引起：沉积的金属不足，或在充分足量的金属沉积后，又因某种原因，失掉部分金属。不充分的金属沉积可能是由于电镀参数不当引起，如槽液的化学组成，阴极移动，电流，电流密度分布，或电镀时间等等。这也可能是因为孔壁表面有异物妨碍金属沉积造成，如气泡，灰尘，棉质纤维或有机膜，粘污等。若孔壁表面未经适当处理，不利于镀液沉积，也有可能导致金属沉积不好，例如：钻孔粗糙，形成裂纹，或有“粉红圈”。
从通孔中将铜吃掉“有可能是化学因素，如蚀刻造成，也可能是机构原因，如胀孔，应力裂纹或沉积层脱落。
1.金属化以前步骤可能导致孔中空洞的因素：
A. 钻孔
磨损的钻头或其它不恰当钻孔参数都可能撕裂铜箔与介电层，形成裂缝。玻璃纤维也可能是被撕裂而非切断。铜箔是否会从树脂上撕裂，不仅仅取决于钻孔的质量，也取决于铜箔与树脂的粘结强度。在金相中，撕裂都发生在铜箔较为光滑的一面，除非采用“反转处理的铜箔”。氧化面与半固化片不牢固结合，还可能导致更糟的“粉红圈”，即铜的氧化层在酸中溶解。钻孔孔壁粗糙或孔壁粗糙且有粉红圈都会导致多层结合处的空洞，称之为楔形空洞或吹气孔,“楔形空洞”最初处于结合交界面，它的名称也暗示：形状如“楔”，回缩形成空洞，通常可以被电镀层覆盖。若铜层覆盖这些沟，铜层后面常常会有水分，在以后的工序中，如热风整平等高温处理，水分（湿气）蒸发和楔形空洞通常一起出现。根据出现的位置与形状，很容易确认并与其它类型的空洞区分开。
B.去沾污/凹蚀
去沾污步骤是用化学方法去掉内层铜上的树脂腻污。这种腻污最初是由钻孔造成的。凹蚀是去沾污的进一步深化，即将去掉更多的树脂，使铜从树脂中“突出”，与镀铜层形成“三点结合”或“三面结合”，提高互联可靠性。高锰酸盐用于氧化树脂，并“蚀刻”之。首先需要将树脂溶胀，以便于高锰酸盐处理，中和步骤可以去掉锰酸盐残渣，玻璃纤维蚀刻采用不同的化学方法，通常是氢氟酸。若去沾污不当，可造成两种类型的空洞：在孔壁粗糙的树脂粘污可能藏有液体，可导致“吹气孔”。在内层铜上残留的粘污会防碍铜/镀铜层的良好结合，导致“孔壁拉脱”等，如在高温处理中，或相关的测试中，镀铜层与孔壁分离。树脂分离可能导致孔壁拉脱和裂纹以及镀铜层上的空洞。若在中和步骤中，锰酸钾盐残渣未完全去掉，也可能导致空洞，还原反应常常用到还原剂，如肼或羟胺等。
C.化学沉铜前的催化步骤
去沾污/凹蚀/化学沉铜之间的不匹配和各独立步骤不够优化，也是值得考虑的问题。传统的沉铜前处理顺序为清洁，调整，活化（催化〕，加速（后活化〕，并进入清（淋）洗，预浸，完全适于Murpiy原理。例如，调整剂，一种阳离子聚酯电解质用于中和玻璃纤维上的负电荷，往往须正确应用才能得到所需的正电荷：调整剂太少，活化层及附着不好；调整剂太多，会形成一层膜导致沉铜附着不好；以致孔壁拉脱。调整剂覆盖不充分，最容易在玻璃头上出现。在金相中，空洞开口表现在玻璃纤维处铜覆盖不好，或没有铜。其它引起在玻璃处出现空洞的原因有：玻璃蚀刻不充分，树脂蚀刻过分，玻璃蚀刻过分，催化不充分，或沉铜槽活性不好。其他影响Pd活化层在孔壁上覆盖的因素有：活化温度，活化时间，浓度等。若空洞在树脂上，可能有以下原因：去沾污步骤的锰酸盐残渣，等离子体残留物，调整或活化不充分，沉铜槽活性不高。
2.与化学沉铜有关的孔中空洞
在查看孔中空洞时，总看化学槽液是否有问题，同样再看看，化学沉铜前处理槽液，还要覆盖到化学铜，电镀铜，铅/锡槽共同问题。
总的来讲，气泡，固态物（尘，棉）或有机物粘污，干膜可能阻碍镀液或活化液沉积。气泡裹入，有外来的和内在产生的气泡。外来气泡有时可能是板子进入槽中，或振荡摇摆时进入通孔中。而固有气泡是由化学沉铜液中附反应产生氢气引起，或电镀液中阴极产生氢气或阳极产生氧气。气泡引起的空洞有其特征：常常位于孔中央，而且在金相中对称分布，即对面孔壁有同样宽度范围内无铜。在孔壁表面镀上若有气泡，表现为小坑，空洞周围呈穗状。由尘埃，棉质品或油状膜引起的空洞，形状极不规则。有些防碍电镀或活化沉积的微粒还会被镀层金属包裹。非有机微粒可用EDX分析出，有机物可用FTIR检查。
有关避免气泡裹入的研究已有相当的深度。其中有许多影响因素：阴极移动摇摆幅度，板间间隔，振动摆动等。最有效的避免气泡进入孔中的方法为振动和碰撞。增加板面间隔，增加阴极移动距离也十分重要，化学沉铜槽中空气搅拌和活化槽撞击或振动几乎没有用。另外，增加化学沉铜湿润性，前处理潮位避免气泡也十分重要。镀液的表面能量于氢气气泡在跑出孔中或破灭前的尺寸有关，显然希望气泡在变大前排除于孔外，以免阻碍溶液交换。
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