线路连接中应注意的问题和传统的保护器件

　　ESD电流波的特点是上速度升极快，因此电流在电路中通过时受电路中分散的寄生阻抗的影响很大。注意外部配置将确保集成电路的的良好性能，不同的集成电路，应有不同的电路配置，例如，Maxim的接口电路建议以下各点：
　　根据标准模拟电路接线技术，把所有的旁路和电荷泵电容器尽量向集成电路靠近
　　在印刷电路上设置一个接地平面
　　使引线电感和电容最小化，并且使集成电路尽可能靠近电路板的I/O端口
　　一个气体放电抑制器有两个电极，他们安置在一个充满气体的管子内，彼此相距很近。当高电压（90，150，230，260和350V是典型的气体管电压）加到两极时，管中的气体发生电离，电路导通。在断路状态下，管子的电阻很大；导通时，电阻很小。气体管导通速度相对来说较慢，但可承受很大的冲击电流。遗憾的是。一些气体管在经受几百次的冲击后，就会烧掉。
　　早期的气体管靠放射性金属使气体始终保持部分电离。Semitron通过严格控制混合气体和电极上的镀层而研制出了一种无须放射性金属的气体管。
　　金属氧化物变阻器 （MOV）价格低廉，能够通过大电流而不受损，且很耐用。然而，每导通一次，其性能就会下降，在超载状态下，它将开路失效。MOV实际上是一种粉末压实产品，人们普遍认为它比半导体器件的反应速度慢（但并不是绝对如此）。
　　理想状态下，一个分支保护器件的电容应当为零。典型的气体放电管的电容是1~2.5pF，而半导体器件的电容范围为100~5000pF。